Abstract
Bu çalışmada, metal organik buhar fazlı epitaksi ile üretilmiş GaN p-i-n yapı, elektrolüminesans (EL) ve sıcaklığa akım-gerilim ölçümleriyle incelenmiştir. GaN p-i-n yapının, düz besleme geriliminde uzay yükü sınırlamalı bölgeye karşılık gelen 50 mA enjeksiyon akımı altında, tepe noktası 2.2 eV enerjisinde olan sarı ışık yaydığı gözlenmiştir. Ayrıca, uzay yükü sınırlamalı bölgeden türetilen mobilitenin, elektrik alan bağlılığının Poole-Frenkel türünde olduğu saptanmış ve termal enerji aralığı 0.299 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan bu enerji aralığı, EL ölçümünden elde edilen sonuçlarla desteklenmiştir.
Keywords
Physics
Metalorganic vapour phase epitaxy
Center (category theory)
Analytical Chemistry (journal)
Crystallography
Materials science
Chemistry
Nanotechnology
Subject Areas
GaN-based semiconductor devices and materials
·Condensed Matter Physics ·Physical Sciences
Semiconductor Quantum Structures and Devices
·Atomic and Molecular Physics, and Optics ·Physical Sciences
ZnO doping and properties
·Materials Chemistry ·Physical Sciences
OpenAlex SDG Match
SDGs auto-classified by OpenAlex (score ≥ 0.4 shown).
Affordable and clean energy 83%
Loading…